BISTAR TP8F66M & TP8F66M(H)

单晶组件:132片
输出功率:645-665W
最高效率:21.4%
功率公差:0 ~ +3%

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产品先容

- 12BB半片电池技术:全新电路设计,更低的内部电流,掺镓硅片,首年衰减<2%、线性衰减≤0.55%
- 显著降低热斑风险:独有的电路设计显著降低热斑温度,减少功率损失,提高组件发电量
- 更低度电成本:提高发电量2%,降低了度电成本
- 优秀的抗PID性能:通过TUV南德两倍于行业标准的抗PID(电势诱导衰减)测试(85℃/85% RH、192小时)
- IP68接线盒:高标准等级防水性能、有效抵御恶劣环境
-?严格的质量管控及高可靠性:内部测试远超行业认证标准

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